Fotorespuesta de las películas delgadas de Óxido de Ti preparadas por "sputtering"

Autores/as

  • Mónica Gómez León Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Ingeniería. Lima, Perú. https://orcid.org/0000-0003-0990-0593
  • Juan Rodríguez Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Ingeniería. Lima, Perú.
  • Sten-Eric Lindquist Departamento de Físico Química, Universidad de Uppsala. Uppsala, Suecia.
  • Claes Granqvist Departamento de Ciencias de los Materiales, Universidad de Uppsala. Uppsala, Suecia.

DOI:

https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i2.320

Resumen

Películas de óxido de Ti policristalino fueron depositadas empleando DC “sputtering” reactivo con magnetron de platos de Ti en una atmósfera de O2+Ar sobre láminas de vidrio pre-cubiertas con ITO (óxido de indio dopado con estaño). Las fases anatasa y rutilo se obtuvieron por calentamiento del sustrato durante el deposito de las películas. La eficiencia en la conservación foton-incidente-corriente (denominado “IPCE” de la expresión inglesa Incident Photon-to-Current Eficiency) se estudió en función de diferentes parámetros de preparación, tales como la temperatura del sustrato, el espesor de la película y la relación de flujos O2/Ar. La fotorespuesta se midió usando un sistema de tres electrodos empleando un electrolito acuoso de 0.1 M de KI, que fue purgado con nitrógeno. El espectro de la fotorespuesta se obtuvo en un rango de longitud de onda entre 280 y 400 nm. Se encontró que la fotorespuesta dependió grandemente de la estequiometría del material, del espesor de las películas, así como de la estructura cristalina del óxido de Ti.

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Citas

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Publicado

1999-12-01

Cómo citar

[1]
M. Gómez León, J. Rodríguez, S.-E. Lindquist, y C. Granqvist, «Fotorespuesta de las películas delgadas de Óxido de Ti preparadas por “sputtering”», TEC, vol. 9, n.º 2, pp. 33–37, dic. 1999.

Número

Sección

Artículos